韩国科技巨头三星昨（31）日举行财报会议，释出上季半导体业绩不如市场预期，调降其晶圆代工资本支出等讯息，仅AI相关市场发展与公司布局让市场惊艳，三星并暗示可能与台积电（2330）在高频宽存储器（HBM）协调合作，以满足多家客户不同需求。
法人指出，目前台积电高频宽存储器最主要合作伙伴为另一家韩国存储器大厂SK海力士，若三星也加入相关合作，对台积电冲刺AI等高速运算事业将有正面助益，持续带旺台积电营运。
三星昨天公布上季整体营业利益比去年同期激增277.4%至9.2兆韩元（66.6亿美元），略高于本月初初估的9.1兆韩元，营收也成长17.3%至创纪录的79.09兆韩元。不过，上季芯片部门营业利益季比下滑40.2%、降至3.86兆韩元（28亿美元），营收季增3%至29.27兆韩元，皆低于预期。
三星表示，已从高频宽存储器、DDR5及伺服器储存产品获得“庞大营收成长”。预期本季半导体事业表现将好转，尽管行动和PC存储器芯片需求可能疲软，AI成长将维持需求在热络水准，预测消费电子产品市况仍将相当平淡，AI和资料中心需求将维持强劲，伺服器存储器产品需求到明年都将“强劲且稳定”，包括AI和传统伺服器。
三星存储器事业主管金在俊表示，将弹性减产部分传统DRAM和NAND芯片到符合市场需求的水准，以加速转换到先进制程节点。
三星预定下半年开发并量产HBM4，明年存储器部门将聚焦于高频宽存储器和伺服器固态硬碟（SSD），暗示可能和台积电协调合作，以满足多家高频宽存储器客户的不同需求。
三星主管也暗示，HBM3E芯片在赢得辉达（NVIDIA）认证方面“大有进展”，预期第4季将向客户销售。
三星并发布新闻稿指出，预料在AI PC和AI应用带动下，明年整体晶圆代工市场将双位数成长，但该公司未提供其晶圆代工事业的成长预估。
三星在新闻稿提到，晶圆代工业务明年寄望成功的2奈米量产来确保主要客户。 此外，整合先进的制程节点和先进封装解决方案以进一步开发HBM Buffer die（缓冲裸晶）有助获得人工智能和高速运算（HPC）新客户。
三星提到，今年资本支出将比去年略增3.6兆韩元、达56.7兆韩元，芯片资本支出预料为47.9兆韩元（347亿美元），略低于去年，主要是缩减今年晶圆代工资本支出，集中于现有产线的技术转变。今年存储器资本支出则将与去年相同，优先投入高频宽存储器和DDR5等高附加价值产品。
相较下，台积电今年资本支出将略高于300亿美元。彭博资讯指出，三星今年资本支出只略高于台积电，引人怀疑如何同时在高频宽存储器赶上SK海力士、在晶圆代工追赶台积电。
